В НИИ "Полюс" разработана новая технология получения полупроводниковых наноструктур - "Швабе"

      ***На её основе созданы мощные лазерные излучатели нового поколения
      
       Москва. 19 февраля. ИНТЕРФАКС - Учёный НИИ "Полюс" имени Стельмаха разработал технологию получения полупроводниковых наноструктур, а также создал на их основе мощные лазерные излучатели нового поколения, сообщила в понедельник пресс-служба холдинга "Швабе", в состав которого входит институт.
       "Результаты научной работы могут быть применены при производстве медицинского оборудования, беспилотного транспорта, лидар-систем и других приборов", - сказано в сообщении.
       Генеральный директор НИИ "Полюс" Евгений Кузнецов пояснил, что в научной работе продемонстрированы результаты создания нового поколения высокомощных лазерных излучателей - лазерных диодов, линеек и решеток, - которые работают в импульсном и непрерывном режимах в инфракрасном диапазоне спектра от 750 до 1 600 нм.
       По словам Кузнецова, использование предложенных технологий позволит сделать лазерные излучатели более эффективными, быстродействующими и миниатюрными, что положительно отразится на создаваемых приборах. В частности, на производительности и компактности технологических установок, дальномеров и медицинских изделий, в том числе хирургических и косметологических.
       В сообщении отмечается, что проект, разработанный доктором физико-математических наук Максимом Ладугиным, был реализован на основе полупроводниковых соединений алюминия, галлия и индия с фосфором и мышьяком. Такие структуры будут наиболее оптимальны для востребованных спектральных диапазонов 750-850 нм, 900-980 нм и 1500-1600 нм и позволят увеличить мощность лазерных приборов.
       "Изобретение отметили высшей наградой на конкурсе молодых учёных, организованном правительством Москвы", - информирует пресс-служба.
      
       1сб 1рв ле